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分散剂对超细CeO_2抛光液稳定性的影响

通过对超细CeO2抛光液中Zeta电位及黏度的测定,研究了溶液pH值、分散剂以及分散剂用量等因素对超细CeO2抛光液分散稳定性的影响。结果表明,固相质量分数8%的CeO2抛光液,pH值为4~5,选用非离子表面活性剂异丙醇胺作为分散稳定剂,加入质量分数为0.3%~0.4%时,抛光液Zeta电位较高,溶液黏度较低,抛光液分散稳定性较好。

21 0 1年 1 2月第 6期第3 l卷总第 16期 8

金刚石与磨料磨具工程 Dimo d& Abr sv s Engn e i g a n a ie ie rn

De 2 1 c. 01

No 6 Vo . l S ra . 8 . 1 3 ei 1 1 6

文章编号:0 6— 5 X(0 1 0 0 5 0 10 8 2 2 1 )6— 09— 4

分散剂对超细 CO e 2抛光液稳定性的影响 刘玉林 (南省化工研究所有限责任公司,州 4 0 5 )河郑 5 0 2

摘要通过对超细 C O抛光液中 Zt e e a电位及黏度的测定,究了溶液 p研 H值、分散剂以及分散剂用量等 因素对超细 C O抛光液分散稳定性的影响。结果表明, e,固相质量分数 8的 C O% e抛光液, H值为 4— p 5选用非离子表面活性剂异丙醇胺作为分散稳定剂,,加入质量分数为 0 3~0 4时,光液 Z t .% .%抛 e a电位较高,液黏度较低,光液分散稳定性较好。溶抛

关键词超细 C O;散剂;光液; e分抛分散稳定性 中图分类号 T 7 文献标志码 A G3

Efe t f d s r a g nt n he s a l y o f c s o ipe s nt a e s o t t bii f t

ulr fne Ce 2p ls i l r ta i O o ih ng sur y

L U Yu l I —n i

( ea hm cl n ut e ac ntueC . Ld Z egh u4 0 5,C ia H n n C e i d s yR s r Istt o, t, hn zo 5 0 2 hn ) aI r e h i

Ab t a t B e emi i g z t oe t l a d v s o i n u r f e C O2 p l h n l ry,t e ef cs o u h sr c y d tr n n e a p tn i n ic st i h a n e o i i g s r a y i s u h f t f s c e f co s a s l t n H v l e, d s ra t g n s nd o a e p n h d s r in tb lt o u ta n Ce a t r s o u i p o au ipe s n a e t a d s g u o t e ipe so sa ii y f lrf e i O2 p ls n l ry a e su i d. Re u t h w h tfrt O2p ls i g

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vleo 4—5 iS e e e c a n o rp l lo o ( o— nsr c ci g n)a na tsr kn a f u ,t t r osl t miei po y a h l anni uf eat eae t s ni hi ig 'b t t e s c o a v a— n ae tadteot a a dt na o n .%~ .% ( as rc o ) I a cs,h o sigs r, i gn,n pi l d io m u ts 3 h m i i0 04 m s f t n .nt t ae te l hn ur wt a i h p i l y h a hih rz t oe ta nd l we ic st g e ea p t n ila o rv s o iy,wi e fr g o ip r in sa lt . l p ro m o d d s e so tbi y l i K e wor u r fn O2; ipe s n g n; o ihi g su r d s e so tb lt y ds h a e Ce i d s r a ta e t p ls n l ry; ip r in sa iiy

0引言 化学机械抛光 (简称 C )术是机械磨削和化 MP技

散过程,靠物理分散达不到最佳的分散稳定效果,单还必须依靠化学分散。化学分散主要是在悬浮液中添加分散剂,过分散剂与微粉粒子表面相互作用,变微通改粉粒子的表面性质,阻止颗粒问的团聚,而达到稳定从的分散效果,可见,添加分散剂是控制超细粒子分散稳

学腐蚀相结合的抛光技术,借助于超细微粉粒子研它 磨作用以及抛光液的化学腐蚀作用来完成对工件表面的材料去除,而获得平坦、洁的表面¨ 3。从光 -] 在 C P技术中,光液是关键要素之一,光液 M抛抛

定性的重要途径。近年来研究表明,以超细 C O e

的组成、H值、 p粒径和分散稳定性能对 C MP过程产生 较大影响。抛光液通常由研磨剂、分散介质和分散剂

微粉为研磨剂的抛光液,可应用于半导体晶片、光学玻 璃、纤连接器、英晶体和精密模具等的化学机械抛光石光 J

。而且,e, C O对材料的去除能力比 SO i要高,其抛光精度要比 A。金刚石微粉要好, C O 1、 O以 e作为抛光液研磨剂的研究已成为目前业内关注的热点。

等组成,磨剂的性能以及抛光液中超细颗粒的分散研稳定性直接影响到元件表面的抛光效果。抛光液的制备过程,际上就是一个超细微粉粒子的深度分实

分散剂对超细CeO_2抛光液稳定性的影响

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